傳感器
AMR2501 AMR線性磁傳感器
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  • 黃志誠芯片
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產品型號:AMR2501
兼容型號:
磁阻結構:/
供電電壓:1~12 V
敏度(mV/V/Oe):2.1
電阻(kΩ):770
飽和?。∣e):±4
敏感方向:X軸
磁滯(Oe):0.02
本底噪聲(nT/rt(Hz) @1Hz):0.15
封裝形式:DFN5X6 -16L
交付周期:In Stock
規格說明書:
  • AMR2501

概述AMR2501采用獨特的推挽式惠斯通電橋結構設計,惠斯通電橋包含四個高靈敏度AMR傳感元件,獨特AMR惠斯通電橋結構有效地補償了傳感器的溫度漂移。AMR2501性能優越,采用極小封裝形式DFN5X6 -16L。

產品特性(1)基于各向異性磁電阻技術;(2)優越的溫度穩定性;(3)低成本;(4)低磁滯;(5)寬工作電壓范圍;(6)低本底噪聲( 150pT/√[email protected];(7)小尺寸封裝。

典型應用(1)微弱磁場檢測;(2)電流傳感器;(3)位置傳感器;(4)導航系統,羅盤定向;(5)交通流量檢測;(6)磁強計;(7)磁開關傳感器。


                                                                                                                         

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